Дом > производителей >

Ampleon США Inc.

Ampleon США Inc.
  • Введение
  • Новые изделия
Введение

Ampleon США Inc.

Компания Ampleon, созданная в 2015 году, сформирована на основе 50-летнего лидерства RF Power и намерена использовать весь потенциал передачи данных и энергии в RF.посвященный созданию оптимальной ценности для клиентовЕго инновационный, но последовательный портфель предлагает продукты и решения для широкого спектра приложений, таких как мобильная широкополосная инфраструктура, радио и телевидение, лазеры и плазма CO2, МРТ,ускорители частиц, радиолокации и управления воздушным движением, не сотовой связи, радиочастотного приготовления и размораживания, радиочастотного отопления и плазменного освещения.

Новые изделия
Изображение часть # Описание производитель Запас RFQ
качество БЛА9Х0912Л-250У завод

БЛА9Х0912Л-250У

RF Power Discrete Transistors
качество C4H10P600AY завод

C4H10P600AY

RF Power Discrete Transistors
качество БЛФ8Г22ЛС-160БВ,11 завод

БЛФ8Г22ЛС-160БВ,11

RF Power Discrete Transistors
качество БЛП10Х660ПГИ завод

БЛП10Х660ПГИ

Радиочастотные дискретные транзисторы
качество BLS7G2730LS-200ПУ завод

BLS7G2730LS-200ПУ

RF Power Discrete Transistors
качество BLP05H6700XRY завод

BLP05H6700XRY

RF Power Discrete Transistors
качество BLS9G2731LS-400U завод

BLS9G2731LS-400U

RF Power Discrete Transistors
качество BLC10G22XS-400АВТЗ завод

BLC10G22XS-400АВТЗ

Радиочастотные дискретные транзисторы
качество БЛФ6Г22ЛС-100,112 завод

БЛФ6Г22ЛС-100,112

RF Power Discrete Transistors
качество BLC9G27XS-380АВТЗ завод

BLC9G27XS-380АВТЗ

RF Power Discrete Transistors
качество BLF984PSU завод

BLF984PSU

RF Power Discrete Transistors
качество BLP05H635XRY завод

BLP05H635XRY

RF Power Discrete Transistors
качество БЛФ6Г20-180ПН,112 завод

БЛФ6Г20-180ПН,112

RF Power Discrete Transistors
качество BLM7G1822S-20PBGY завод

BLM7G1822S-20PBGY

RF Amplifier
качество БЛМ10Д2327-40АБЗ завод

БЛМ10Д2327-40АБЗ

RF Amplifier
качество БЛМ9Д3538-12АМЗ завод

БЛМ9Д3538-12АМЗ

РЧ-усилитель
качество BLC9H10XS-350AY завод

BLC9H10XS-350AY

RF Power Discrete Transistors
качество BLC9H10XS-500AY завод

BLC9H10XS-500AY

RF Power Discrete Transistors
качество BLM7G1822S-80ABGY завод

BLM7G1822S-80ABGY

RF Amplifier
качество ART2K0FEGJ завод

ART2K0FEGJ

RF Power Discrete Transistors
качество BLC9H10XS-505AZ завод

BLC9H10XS-505AZ

RF Power Discrete Transistors
качество BLC9G27XS-380AVTY завод

BLC9G27XS-380AVTY

RF Power Discrete Transistors
качество BLM8G0710S-30PBY завод

BLM8G0710S-30PBY

РЧ-усилитель
качество БЛМ10Д3438-70АБГЗ завод

БЛМ10Д3438-70АБГЗ

RF Amplifier
качество БЛФ6Г22-45,112 завод

БЛФ6Г22-45,112

RF Power Discrete Transistors
качество CLF1G0035-100PU завод

CLF1G0035-100PU

RF Power Discrete Transistors
качество BLC10G19XS-551AVY завод

BLC10G19XS-551AVY

RF Power Discrete Transistors
качество BLC9H10XS-300PY завод

BLC9H10XS-300PY

RF Power Discrete Transistors
качество BLC10G22XS-570AVTY завод

BLC10G22XS-570AVTY

RF Power Discrete Transistors
качество CLF1G0060S-10U завод

CLF1G0060S-10U

RF Power Discrete Transistors