BLC9H10XS-500AY
![качество [#varpname#] завод](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Ampleon США Inc.
Описание:
RF Power Discrete Transistors
Категория:
Электронные полупроводники
Спецификации
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
19.3
Output Power (W) ::
500
Частота Min (GHz)::
0.617
Process ::
LDMOS
Максимальная частота (GHz)::
0,96
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Введение
BLC9H10XS-500AY, от Ampleon USA Inc., это Усилитель RF. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
БЛА9Х0912Л-250У
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
БЛФ8Г22ЛС-160БВ,11
RF Power Discrete Transistors
БЛП10Х660ПГИ
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200ПУ
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400АВТЗ
RF Power Discrete Transistors
БЛФ6Г22ЛС-100,112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380АВТЗ
RF Power Discrete Transistors
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
БЛА9Х0912Л-250У |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
БЛФ8Г22ЛС-160БВ,11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
БЛП10Х660ПГИ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200ПУ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400АВТЗ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
БЛФ6Г22ЛС-100,112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380АВТЗ |
RF Power Discrete Transistors
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: