Интегральные схемаы - ICs Изготовитель от Китая of page 442

часть #	Описание	производитель
МТ4С4С4С4С5	IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA	Технология микронов
AT45DQ161-SSHF-B	IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC	Технологии Adesto
AT45DQ321-MWHFHK-T	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VDFN	Технологии Adesto
МТ416В16М16TG-5B:F TR	IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP	Технология микронов
W9464G6JH-5I	IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II	Уинбонд Электроника
EDBA164B2PF-1D-F-R ТР	IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ	Технология микронов
МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ414МТ414МТ414М414М414М414	IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA	Технология микронов
W25Q128FWEIG ТР	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON	Уинбонд Электроника
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	Технология микронов
МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3	IC FLASH 128M SPI 24TPBGA	Технология микронов
W25Q16FWUXIE ТР	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON	Уинбонд Электроника
MTFC128ГАОАНЕА-WT ES TR	IC FLASH 1T MMC	Технология микронов
МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3	IC FLASH 128M SPI 24TPBGA	Технология микронов
MT29F512G08CKCABH7-6R:А	IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ	Технология микронов
МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4	IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA	Технология микронов
МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	Технология микронов
МТ28F004B3VG-8 T	IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I	Технология микронов
MT48LC32M4A2TG-75 Л:Г	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	Технология микронов
MTFC16GJVEC-2F ВТ	IC FLASH 128G MMC 169WFBGA	Технология микронов
МТ4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4М4	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	Технология микронов
W25Q128FVCJF	IC FLASH MEMORY 128MB	Уинбонд Электроника
МТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ2СТ3СТ3СТ3СТ3СТ3СТ3СТ3СТ3	IC FLASH 16G PARALLEL 83MHZ	Технология микронов
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3	IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ	Технология микронов
МТ4С4С4С4С4С4С4	IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA	Технология микронов
MX25L3235EM2L-10G	IC FLASH 32MBIT	MXIC, Macronix
M29W064FT6AZA6F ТР	IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA	Технология микронов
EDW4032BABG-70-Ф-Д	IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA	Технология микронов
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3	IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA	Технология микронов
EDB8132B4PB-8D-F-R TR	IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA	Технология микронов
24LC1025-И/П	IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8DIP	Технология микрочипов
MT35XU512ABA1G12-0AAT ТР	SERIAL NOR SLC 64MX8 TBGA	Технология микронов
M58WR032КУ70ЗА6У ТР	IC FLASH 32M PARALLEL 44VFBGA	Технология микронов
MT4A4G4NRE-075E:B	IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ	Технология микронов
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C ТР	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Технология микронов
24FC64FT-И/ОТ	IC EEPROM 64K I2C 1MHZ SOT23-5	Технология микрочипов
РД28Ф1604К3ТД70СБ93	IC FLASH RAM 16MIT PARAL 66SCSP	Информационные данные
MT53D8СВП-СВП	SPECIAL/CUSTOM LPDDR4	Технология микронов
S29AL032D70TFI030	32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory	Spansion/Cypress
МТ4С4С4С4С4С4С4С4С4С5	IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA	Технология микронов
MT29F256G08CMAAAC5:A ТР	IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA	Технология микронов
MT48LC8M8A2P-75 ИТ:Г	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	Технология микронов
W97AH2KBQX2I	IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA	Уинбонд Электроника
AT24C256C-XHL-B	IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP	Технология микрочипов
N25Q128A11ESE40G	IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO	Технология микронов
МТ440МТ440МТ430МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440МТ440М440М440	IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA	Технология микронов
JS28F640P30BF75D	IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP	Технология микронов
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C	IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA	Технология микронов
PH28F320W18BE60A	IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA	Технология микронов
МТ4С4С4С4С4С4С4С4С5	IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA	Технология микронов
MX29GL512EHT2I-10Q	IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP	MXIC, Macronix

440 441 442 443 444